三星GALAXY S6将会怎样?据说速度快三倍

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配备UFS闪存

最近有关三星GALAXY S6的传闻较多,在陆续曝出该机的研发代号为“Project Zero”以及愿因会配备双曲面侧屏的消息以前,韩国媒体etnews日前又最近报道称,三星将在智能旗舰上首次使用通用闪存(UFS)芯片,其主要特色是传输下行下行速率 减慢,且功耗更低。据悉,三星这款智能旗舰愿因在明年发布,但规格目前尚未完成。愿因GALAXY S6愿因是三星在明年的旗舰级产品,一点也愿因该机将有望成为首款配备通用闪存(UFS)芯片的智能机型。

根据韩国媒体etnews援引三星内部人员人士的消息披露称,三星采用通用闪存(UFS)芯片的智能旗舰将于明年登场,但目前规格尚未完成。共同,三星还计划在智能手机和平板电脑上逐步以UFS取代传统的SD卡和Micro SD存储卡,有只是包括小米在内的智能手机厂商也愿因会跟进,推出配备UFS通用闪存的旗舰机型。愿因三星GALAXY S6愿因是三星在明年推出的旗舰机型,一点也愿因该机或将成为首款搭载UFS通用闪存的智能旗舰。

至于UFS通用闪存则是两种新的储存标准,将固态硬盘(SSD)的高速传输和eMMC的低功耗特点相结合,不仅不需要 提供减慢的传输下行下行速率 ,有只是耗电量更低。目前,eMMC闪存的最高传输下行下行速率 为80MB/s,而UFS闪存则快上三倍,高达1.2GB/s。共同在功耗方面,UFS闪存理论上仅有eMMC 5.0闪存的一半左右。

S6从零以前只是只是刚开始英文

而在此前,三星GALAXY S6的研发代号Project Zero愿因在网络上曝光,所传递的概念似乎为“从零以前只是只是刚开始英文”的含义。而从目前所披露的诸多消息来看,三星着实准备在下一代GALAXY S系列旗舰上采用全新的设计。比如根据IHD技术公司的高级分析师Jerry Kang披露的说法,三星GALAXY S6的有一个 侧面就有 望使用来自Samsung Display的弧形屏幕,共同这位分析师还表示三星其着实Note Edge上就愿因不需要 在两侧都采用弧形屏幕,一点三星高层压制了你这俩 想法,表示“再等等”。

除此之外,三星GALAXY S6还传闻会装载2K分辨率的触控屏,并会使用博通的全新BCM4773芯片,将GPS 导航与其它感应器整合,不仅不需要 节省油车 量消耗,有只是还不需要 为主板节省更多空间。至于一点相关配置上,三星GALAXY S6也会得到全面升级,比如前置镜头提升为800万像素,并会改进主摄像头在弱光环境下的拍照效果。而除理器的配置上则沿用过去的双除理器策略,全球版本愿因装载全新Exynos 7420除理器,并愿因会搭载新开发LTE基带芯片。而面向偏离 特定的地区的版本,则会是64位的骁龙810除理器。

继续采用3GB内存

尽管没人 ,三星GALAXY S6不要打算配备4GB内存,一点会继续采用3GB的内存容量,愿因以前的配置愿因足以除理所有的任务操作。而根据SamMobile此前曝光的信息显示,该机在欧美市场的型号为SM-G920,有只是针对市场的不同手机的型号最后一位数字和字母会略有变化。